公开/公告号CN104220636B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201380018698.3
申请日2013-03-22
分类号C23C16/455(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:45:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-24
授权
授权
2015-01-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20130322
实质审查的生效
2014-12-17
公开
公开
机译: 控制等离子体处理装置的腔室中的材料的温度的方法,腔室和基质中的材料的安装阶段以及配备有该等离子体处理设备的等离子体处理装置的方法
机译: 用于使用单频射频功率处理晶片的等离子体处理系统,用于蚀刻晶圆的等离子体处理装置以及用于使用单频射频功率的等离子体处理腔室中的晶片的方法
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