以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法。该器件包括：以SOI为衬底，表面为一个单晶硅层；在掺杂后的表面硅层中刻蚀出一个碳纳米管晶体管结构，它包括一个作为源极的电极、一个作为漏极的电极和一个栅极，一根单壁碳纳米管设置在两个电极上欧姆接触，其中栅极处在源、漏两个电极的中间，碳纳米管的一侧；另一根具有2个以上隧穿结结构的碳纳米管设置在栅极和碳纳米管晶体管的源或漏极的电极上形成欧姆接触。该器件制备方法易于操做。通过控制几十个甚至几个电子就可以实现存储器的正常工作，并且不受随机背景电荷的影响；同时，器件每一个存储单元只具有两个电极引线，容易实现器件的高度集成和实现低功耗下信息的超高密度存储。