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室温下平面结构上的单电子库仑阻塞效应的观察

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用扫描隧道显微镜(STM)在Ti膜上加工形成串联隧道结,在室温下测试并观察到单电子库仑阻塞效应,根据加工结构估算出结电容值,通过计算机模拟得到了与实测相吻合的结果.

著录项

来源
《第四届全国微米/纳米技术学术会议》|2000年|362-364|共3页
会议地点上海
作者
黄萍; 沈波; 蒋建飞; 蔡琪玉; 程子川; 赵小林;
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作者单位

上海交通大学;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜物理学;
关键词
隧道结; 库仑阻塞; 扫描隧道谱;

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