首页> 中国专利> 集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法

集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种集成无源器件扇出型晶圆级封装结构及制作方法,包括模塑料体和芯片;其特征是:在所述模塑料体中设置螺旋形金属布线层,模塑料体正面设置绝缘层,绝缘层中布置金属导线层,金属导线层连接芯片的电极和金属布线层,在金属导线层上设置焊球。所述封装结构的制作方法,采用以下步骤:(1)芯片塑封于模塑料体中;(2)模塑料体正面开设螺旋形槽体,在槽体中制作金属布线层;(3)模塑料体正面制作绝缘层,在绝缘层上开设窗口,在绝缘层表面制作金属层,并刻蚀成所需图形,得到金属导线层;(4)在金属导线层上制作绝缘层,在绝缘层上开设窗口,在窗口中制作焊球。本发明缩短芯片与被动器件之间的电学连接长度,提升了电学品质。

著录项

  • 公开/公告号CN103972218B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410172998.3

  • 发明设计人 孙鹏;徐健;王宏杰;何洪文;

    申请日2014-04-26

  • 分类号H01L23/64(20060101);H01L23/498(20060101);H01L25/00(20060101);H01L21/48(20060101);

  • 代理机构32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人殷红梅

  • 地址 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋(微纳创新园)

  • 入库时间 2022-08-23 09:44:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-28

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/64 登记生效日:20181210 变更前: 变更后: 申请日:20140426

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2016-08-24

    授权

    授权

  • 2014-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20140426

    实质审查的生效

  • 2014-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20140426

    实质审查的生效

  • 2014-08-06

    公开

    公开

  • 2014-08-06

    公开

    公开

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