公开/公告号CN215855107U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-18
原文格式PDF
申请/专利权人 美迪凯(浙江)智能光电科技有限公司;
申请/专利号CN202220080283.5
申请日2022-01-13
分类号B81B7/00(20060101);B81B7/02(20060101);B29C45/14(20060101);B29C45/26(20060101);
代理机构33235 杭州华知专利事务所(普通合伙);
代理人张德宝
地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市长安镇(高新区)新潮路15号4号厂房
入库时间 2022-08-23 04:55:47
机译: 用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构,以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体,能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管
机译: 晶圆级透镜阵列的形成方法,形成类型,晶圆级透镜阵列以及具有该晶圆级透镜阵列的晶圆级透镜阵列
机译: 微设备的晶圆级钝化结构,包括该晶圆的微设备以及制造晶圆级钝化结构和微设备的方法