公开/公告号CN215795212U
专利类型实用新型
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 马舍科技(上海)有限公司;
申请/专利号CN202121709758.4
发明设计人 汪正品;
申请日2021-07-27
分类号B65D25/02(20060101);B65D81/05(20060101);B65D85/86(20060101);
代理机构31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙);
代理人邢黎华
地址 200000 上海市奉贤区场中路629号
入库时间 2022-08-23 04:45:54
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种用于检查芯片堆叠半导体装置的方法以及一种使用能够快速检查芯片之间的连接故障的能力来制造芯片堆叠半导体装置的方法
机译: 树脂密封的半导体装置及其制造方法,可防止热量从一种半导体芯片转移到另一种半导体芯片上