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Architectures de cellules de commutation monolithiques intégrables sur semi-conducteurs bi-puce et mono-puce pour convertisseurs de puissance compacts

机译:双芯片和单芯片半导体上的可集成单片开关单元架构,用于紧凑型电源转换器

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摘要

Dans le domaine de l'intégration hybride de puissance, l'opération de câblage des dispositifs semi-conducteurs de puissance est la cause de fortes interactions électriques parasites entre les inductances de connexion, les capacités parasites par rapport au plan de masse, les dispositifs de puissance eux même et leur électronique de commande rapprochée. Ces interactions constituent une source de pollution et d'auto-perturbation EMI d'une part et un facteur de limitation des performances et de la fiabilité d'autre part. La voie de l'intégration monolithique de puissance au sein d'un même cristal constitue une approche intéressante permettant de solutionner simultanément l'ensemble des problèmes induits par l'intégration hybride. Dans ce cadre, les travaux de cette thèse visent à étudier la faisabilité d'une approche d'intégration monolithique intermédiaire où une structure générique multiphasée est décomposée et intégrée sous la forme de deux macro-puces, chacune vient intégrer un réseau d'interrupteurs multiphasés partageant au moins une électrode commune. Chaque macro-puce est un "aiguilleur de courant" déclinée en deux versions : une version "high-side" à anode commune/face arrière de la macro-puce et une version "low-side" à cathode commune/face avant de la macro-puce. Ce mode d'intégration adresse des applications de conversion d'énergie de type DC/AC, AC/DC ou encore des interrupteurs de puissance quatre segments de faible et moyenne puissance. L'étude comporte : la modélisation par simulations physiques/électriques 2D de structures de puces proposées, la validation de la fonctionnalité recherchée sur le plan semi-conducteur (structure physique) et système (circuit électrique), la réalisation de puces "prototype" en salle blanche du LAAS puis les caractérisations préliminaires sous pointes et enfin l'étude de solutions d'assemblage 2D et 3D des puces réalisées sur substrat SMI/DBC constituant à terme des modules de puissance ultra compacts. Les perspectives scientifiques à ce travail reposent sur une approche d'intégration monolithique "ultime" des cellules de commutation au sein d'une seule puce. Cette approche reposerait sur la réunion et sur un agencement original des deux aiguilleurs initialement étudiés et profite des résultats de comparaison de leurs techniques d'assemblage.
机译:在混合电源集成领域,功率半导体器件的接线操作是连接电感器,相对于接地层的寄生电容,为自己和他们的控制电子设备供电。这些相互作用一方面构成EMI污染和自扰的来源,另一方面又成为限制性能和可靠性的因素。同一晶体内的单片功率积分路径构成了一种有趣的方法,可以同时解决由混合积分引起的所有问题。在这种情况下,本文的工作旨在研究一种中间单片集成方法的可行性,在这种方法中,一个通用的多相结构被分解并以两个宏芯片的形式集成在一起,每个宏芯片都集成了一个多相开关网络共享至少一个公共电极。每个宏芯片都是一个“电流开关”,有两种版本:具有宏芯片公共阳极/背面的“高端”版本和具有阴极/阴极公共端的“低端”版本。宏芯片。该集成模式适用于DC / AC,AC / DC型能量转换应用或中低功率四段电源开关。该研究包括:通过二维物理/电学仿真对拟议的芯片结构进行建模,验证在半导体级别(物理结构)和系统(电路)上寻求的功能,在芯片中生产“原型”芯片LAAS洁净室然后在峰值下进行初步表征,最后研究在最终超紧凑型功率模块中构成的SMI / DBC基板上生产的芯片的2D和3D组装解决方案。这项工作的科学观点是基于在单个芯片内对开关单元进行“最终”单片集成的方法。这种方法将基于会议和最初研究的两个开关的原始布置,并且将从它们的组装技术的比较结果中受益。

著录项

  • 作者

    El Khadiry Abdelilah;

  • 作者单位
  • 年度 2014
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