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Taiko晶圆背面光刻掩具

摘要

一种Taiko晶圆背面光刻掩具,涉及半导体加工技术领域,该掩具包括能让紫外光线穿过的光刻掩版,及用于贴附在Taiko晶圆正面的可耐受180℃高温至少2小时的耐高温贴膜,并且耐高温贴膜能让365nm~1000nm的光波穿过;所述光刻掩版的下表面印制有能阻止紫外光线穿过的光刻图形,并且在光刻掩版的下表面开设有圆环形的晶圆环容纳槽,所述晶圆环容纳槽用于容纳Taiko晶圆的晶圆环,并且晶圆环容纳槽围住光刻掩版下表面的光刻图形。本实用新型提供的掩具,适合Taiko晶圆背面光刻使用。

著录项

  • 公开/公告号CN215264375U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-12-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 尼西半导体科技(上海)有限公司;

    申请/专利号CN202121443039.2

  • 发明设计人 吕琳;杨震;聂敦伟;周曙华;

    申请日2021-06-28

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31315 上海骁象知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱逸

  • 地址 201614 上海市松江区小昆山镇茸康路109弄91号8/9幢

  • 入库时间 2022-08-23 03:32:16

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