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一种低寄生电感的半桥功率模块DBC布局结构

摘要

本实用新型公开了一种低寄生电感的半桥功率模块DBC布局结构,包括:多个裸芯片、引线、金属垫片、功率端子、上层直接覆铜陶瓷基板(DBC基板)和下层DBC基板;所述DBC基板上包括正极、负极、输出及控制信号区域;所述裸芯片通过焊料烧结在上、下DBC基板对应区域内,采用引线实现电气连接;所述功率端子实现外部电路和内部功率回路的电气连接;所述金属垫片通过焊料烧结在上、下DBC基板之间,起支撑及电气互连作用,通过金属垫片的连接,可以使上、下DBC基板上在同一桥臂上的芯片同时导通。本实用新型主要降低了功率半导体模块换流回路上的寄生电感,同时缓解了模块内多芯片发热产生的热耦合效应问题,降低了芯片结温,提高了模块的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN214705921U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN202120575131.8

  • 发明设计人 宁平凡;刘婕;牛萍娟;

    申请日2021-03-22

  • 分类号H01L25/07(20060101);H01L23/367(20060101);H01L23/48(20060101);H01L23/58(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道399号

  • 入库时间 2022-08-23 01:49:46

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