公开/公告号CN214539881U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-10-29
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申请/专利权人 徐州端锦测试有限公司;
申请/专利号CN202120800602.0
发明设计人 不公告发明人;
申请日2021-04-19
分类号G01R31/26(20140101);H05K7/20(20060101);
代理机构
代理人
地址 221400 江苏省徐州市新沂市经济开发区江苏路88号北三区529-1室
入库时间 2022-08-23 01:21:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-08-23
专利权的转移 IPC(主分类):G01R31/26 专利号:ZL2021208006020 登记生效日:20220811 变更事项:专利权人 变更前权利人:徐州端锦测试有限公司 变更后权利人:北京柯泰光芯半导体装备技术有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:221400 江苏省徐州市新沂市经济开发区江苏路88号北三区529-1室 变更后权利人:100000 北京市顺义区双裕南小街1号院1号楼3层0146
专利申请权、专利权的转移
机译: 晶体管,一种制造晶体管的方法,一种半导体器件,一种制造半导体器件的方法,一种显示器件,以及一种电子器件,能够抑制水分渗透到氧化物半导体层中
机译: 缺陷信息检测灵敏度数据确定方法,缺陷信息检测灵敏度数据确定设备,缺陷检测设备管理方法,半导体器件缺陷检测方法和半导体器件缺陷检测设备
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法