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智能功率级模块的封装结构及晶圆结构

摘要

本实用新型公开了一种智能功率级模块的封装结构及晶圆结构,智能功率级模块的封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片、导电夹,第一芯片与第二芯片分别具有第一表面、第二表面及侧壁,第二表面具有组件区与切割区,切割区位于组件区的两侧;第二芯片还包括焊垫和绝缘层,焊垫设置于第二表面的组件区,绝缘层设置于第二芯片的第二表面,并覆盖组件区及切割区,且暴露焊垫;第二芯片的侧壁露出绝缘层。晶圆结构在相邻的芯片之间具有切割道,绝缘层完全覆盖切割道。该结构能够避免焊料形成的焊珠或隆起造成芯片的直接短路问题,提高成品的可靠性和稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN214378414U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力智电子(深圳)有限公司;

    申请/专利号CN202120529132.9

  • 发明设计人 黄水木;苏子龙;王光峰;

    申请日2021-03-12

  • 分类号H01L23/488(20060101);H01L23/495(20060101);H01L23/31(20060101);

  • 代理机构44254 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人刘刚成

  • 地址 518000 广东省深圳市福田区莲花街道福中社区金田路4028号荣超经贸中心B2301230223032305

  • 入库时间 2022-08-23 00:51:35

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