一种碳化硅同质外延生长设备

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅同质外延生长设备，包括腔体、顶盖、生长载台、透明探温窗口、支架和复数个红外高温探测计，顶盖与腔体扣合形成供外延生长的空间，腔体的底部设有排气口，腔体的内部设有生长载台，顶盖设有进气口和测试安装口，至少一红外高温探测计安装在顶盖的测试安装口中；透明探温窗口设于腔体的侧壁，支架的一端固定在腔体上，另一端通过万向节与至少一红外高温探测计连接，红外高温探测计在透明探温窗口范围内转动。本实用新型可以实时监控到生长过程中SiC外延片表面任意位置的温度，从而获得高浓度均匀性的SiC外延片。