机译:关于在蚀刻和同质外延生长的4H碳化硅上观察到的“台阶聚集”现象
surface morphology; surface instabilities; atomic force microscope;
机译:研究生长速率,错切方向和后生长氩退火对同质外延生长4H碳化硅薄膜表面形态的影响
机译:不同生长速率下沉积的4H碳化硅同质外延层的晶体学缺陷和表面粗糙度的形貌和反射法研究
机译:楼梯步进缓冲门4h碳化硅金属半导体场效应晶体管的改进性能
机译:关于在蚀刻和同质外延生长的4H碳化硅上观察到的“台阶聚集”现象
机译:在75mm反应器中4H和6H碳化硅的同质外延生长。
机译:碳化硅基薄膜中的原位生长六角形硅纳米晶体
机译:溶剂激光加热浮动区生长的4H <000-1>碳化硅薄膜的表征
机译:溶剂激光加热浮区生长4H碳化硅薄膜的表征。