一种无台阶聚集低偏角碳化硅外延生长方法

摘要

本发明提供了一种无台阶聚集低偏角碳化硅(SiC)外延生长方法。该方法采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)生长渐变缓冲层和外延层，包括以下步骤：氢气刻蚀4H-SiC衬底，通入C2H4、SiH4和掺杂气体生长缓冲层，再调节生长气体和掺杂气体流量进行外延生长。本发明提供的技术方案制备的低偏角SiC外延材料表面光亮、电阻率均匀且无台阶聚集，适用于半导体功率电子电力器件，显著提高了器件性能。