一种亚单层量子点垂直腔激光器

摘要

本实用新型提供一种亚单层量子点垂直腔激光器，既能够实现应变量子阱的优势，又不会引入额外的非辐射复合损耗，提高激光器量子效率和温度稳定性等方面性能；解决了现有技术中量子阱VCSEL激光器量子效率、温度稳定性等方面性能的不足。本实用新型中的亚单层量子点具备三维量子束缚，而且材料发光性能和光电特性都有很大的提升，同时相对于常规量子点，本实用新型中的亚单层量子点兼具了量子阱高均一性的优点。本实用新型通过原位的热处理，提供了材料质量，从而实现高量子效率的垂直腔激光器芯片或VCSEL芯片。