一种提高垂直腔面发射激光器性能的新工艺(英文)

郝永芹; 钟景昌; 谢浩锐; 姜晓光; 赵英杰; 王立军

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采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率.采用开环分布孔代替环形沟槽,使器件的输出功率提高了0.34倍.14μm孔径的器件输出功率超过10mW,工作电流为29.6mA时,最大输出功率达到12.48mW.而且,这些开环分布孔为电注入提供了便捷的桥通道,很好地解决了电极易过沟断线问题.器件表现了良好的高温工作特性,当温度高达60℃时输出功率仍可达到8mW.

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来源
《半导体学报》 |2005年第12期|2290-2293|共4页
作者
郝永芹; 钟景昌; 谢浩锐; 姜晓光; 赵英杰; 王立军;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;

长春光学精密与物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
外延生长; 激光二极管; 量子阱激光器; 半导体激光器; 垂直腔面发射激光器;

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