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垂直腔面发射激光器中的侧向氧化(英文)

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研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响.

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来源
《半导体学报》 |2006年第8期|1351-1354|共4页
作者
刘文莉; 郝永芹; 王玉霞; 姜晓光; 冯源; 李海军; 钟景昌;
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作者单位

长春理工大学高功率半导体激光重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
侧向氧化; 量子阱; 垂直腔面发射激光器;

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