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650-nm vertical-cavity surface-emitting lasers: laser properties and reliability investigations

机译:650 nm垂直腔面发射激光器:激光器性能和可靠性研究

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摘要

650-nm AlGaInP-AlGaAs-based oxide-confined VCSELs are investigated in dependence on the current aperture size. VCSELs with small aperture (a=5 /spl mu/m) have a maximum continuous-wave (CW) output power of about 1 mW at room temperature. They reach higher operating temperatures (T/sub max/=55/spl deg/C), have narrower beam profiles, less transverse modes, and a higher side mode suppression compared to large aperture VCSELs (a<13 /spl mu/m). The latter devices emit a CW-output power P=3 mW at 20/spl deg/C. Reliability tests of 655-nm devices show at 20/spl deg/C an output power of P/spl ap/0.4 mW over more than 1000 h and at 40/spl deg/C P/spl ap/0.1 mW over 500 h.
机译:根据当前的孔径大小,研究了基于650nm AlGaInP-AlGaAs的氧化物限制的VCSEL。小孔径(a = 5 / spl mu / m)的VCSEL在室温下具有大约1 mW的最大连续波(CW)输出功率。与大口径VCSEL(a <13 / spl mu / m)相比,它们达到更高的工作温度(T / sub max / = 55 / spl deg / C),具有更窄的光束分布,更少的横向模式和更高的侧模抑制能力。 。后面的设备在20 / spl deg / C时发射CW输出功率P = 3 mW。 655 nm器件的可靠性测试显示,在20 / spl deg / C下,超过1000小时的输出功率为P / spl ap / 0.4 mW;在40 / spl deg / C下,P / spl ap / 0.1 mW,输出功率在500 h以上。

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