一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块

摘要

本发明涉及一种碳化硅全桥模块的低寄生电感SiC模块和焊接方法，属于半导体功率设备技术领域，包括DBC板、碳化硅器件及套壳，DBC板作为该SiC模块的底板，碳化硅器件固定贴合在DBC板的导电层上，套壳扣于DBC板，DBC板上的导电层分为功率电极区和信号电极区，功率电极区包括第一漏极区块、第二漏极区块、第三漏极区块和负极输入区块，信号电极区包括第一栅极区块、第二栅极区块、第三栅极区块和第四栅极区块，本方案可以通过单个模块实现全桥开关功能，使应用更加便捷，且可靠性高，对寄生电感效应进行了最大限度的优化。