多層基板を用いた低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールのスイツチング特性に関する一検討 : モジュール内蔵スナバコンデンサ容量の最適設計に関する実験的検討

摘要

本研究では、SiCデバイスの利点を生かした高速スイッチング動作を実現するために、低インダクタンス化によるサ ージ電圧の低減を目的とした多層セラミック基板を用いたSiCハーフブリッジモジュールを開発した。Cスナバとして MLCCをモジュール基板に直接実装することで、スイッチ ング速度を低下させることなくスイツチングサージが低減 することを確認した。滑降シンプレックス法によりインダ クタンスの周波数特性から同定したモジュール基板の寄生 成分で得られる振動周波数と実験結果には乖離があり、詳 細な模擬によるさらなる検討が必要である。また今回提案 したスナバコンデンサの最適設計手法が他のモジュールで 適用可能かどうか、今後検討の必要がある。