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能减少残余浆料的化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及半导体制造工艺,尤其涉及能有效减少在化学机械抛光过程中引入的研磨剂残留的方法。按照本发明的化学机械抛光方法包括下列步骤:研磨步骤,利用浆料来研磨晶圆的表面;以及冲洗步骤,利用流体冲洗所述晶圆的表面以去除残留在所述表面的浆料,其中,在所述冲洗步骤中还向所述晶圆的表面输送所述浆料。

著录项

  • 公开/公告号CN103128649B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡华润上华科技有限公司;

    申请/专利号CN201110402474.5

  • 发明设计人 杨贵璞;曾明;范怡平;黄勇;

    申请日2011-11-28

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李湘

  • 地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

  • 入库时间 2022-08-23 09:43:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-03

    授权

    授权

  • 2013-07-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 37/04 申请日:20111128

    实质审查的生效

  • 2013-06-05

    公开

    公开

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