一种外延InSb衬底的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种外延InSb衬底的表面处理方法，包括：步骤1，清洗待处理的InSb晶片，并将清洗后的InSb晶片进行干燥处理；步骤2，配制腐蚀液，并将干燥处理后的InSb晶片放入腐蚀液中进行湿化学处理；其中，配制的腐蚀液为配比为0.05%～10%的溴-甲醇，或者，HNO₃:HF:CH₃COOH:DI H₂O的配比为1～5：0.5～5：0.5～5：5～100的CP4体系溶液；步骤3，对湿化学处理后的InSb晶片进行冲洗，并将冲洗后的InSb晶片进行干燥处理，得到表面处理后的InSb晶片。本发明所述方法在去除晶片表面自然氧化层的同时，在表面形成一层新的氧化层，该氧化层厚度更薄，脱氧温度也大大降低。