Growth and Characterization of p-type InSb on n-type (111) and (110) InSb Substrates using Molecular Beam Epitaxy

M. Mohammadkhani; J. Fariborz; A. Mohades Kassai

首页> 外文期刊>Journal of Applied Sciences >Growth and Characterization of p-type InSb on n-type (111) and (110) InSb Substrates using Molecular Beam Epitaxy

【24h】

Growth and Characterization of p-type InSb on n-type (111) and (110) InSb Substrates using Molecular Beam Epitaxy

机译：利用分子束外延法在n型（111）和（110）InSb衬底上生长和表征p型InSb

获取原文

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

In this study, Molecular Beam Epitaxy (MBE) has been used to grow p-type InSb layers on both n⁺(111) and n(110) InSb substrates. Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) studies along with electro-chemical Capacitance Voltage (CV) pr

机译：在这项研究中，分子束外延（MBE）已被用于在n ^{+ （111）和n（110）InSb衬底上生长p型InSb层。反射高能电子衍射（RHEED）研究以及电化学电容电压（CV）pr}

著录项

来源
《Journal of Applied Sciences》 |2010年第14期|共3页
作者
M. Mohammadkhani; J. Fariborz; A. Mohades Kassai;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种
中图分类农业科学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Molecular, beam epitaxy and morphological studies of homoepitaxial layers on chemical mechanical polished InSb(100) and InSb(111)B substrates [J] . Vangala SR, Qian X, Grzesik M, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures . 2006,第3期

机译：化学机械抛光的InSb（100）和InSb（111）B衬底上同质外延层的分子，束外延和形态研究
2. Epitaxial growth of lattice-matched InSb/CdTe heterostructures on the GaAs(111) substrate by molecular beam epitaxy [J] . Jiaming Li, Chenjia Tang, Peng Du, Applied Physics Letters . 2020,第12期

机译：通过分子束外延对GaAs（111）衬底上的晶格匹配的INSB / CDTE异质结构的外延生长
3. Growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates by molecular beam epitaxy method with AlInSb/GaSb as compound buffer layers [J] . Yong Li, Ying-Qiang Xu, Zhi-Chuan Niu, 中国物理：英文版 . 2021,第002期

机译：通过分子束外延法用alinsb / gasb作为复合缓冲层的高质量内含物薄膜的高质量Insb薄膜的生长
4. Growth of atomically smooth ultra-thin InSb layers on GaAs substrates by molecular beam epitaxy [C] . Kanisawa, K., Yamaguchi, Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on . 1998

机译：通过分子束外延在GaAs衬底上生长原子光滑的超薄InSb层
5. Monocrystalline ZnTe/CdTe/MgCdTe Double Heterostructure Solar Cells Grown on InSb Substrates by Molecular Beam Epitaxy. [D] . DiNezza, Michael John. 2014

机译：分子束外延在InSb衬底上生长的单晶ZnTe / CdTe / MgCdTe双异质结构太阳能电池。
6. Lattice parameter accommodation between GaAs(111) nanowires and Si(111) substrate after growth via Au-assisted molecular beam epitaxy [O] . Anton Davydok, Steffen Breuer, Andreas Biermanns, 2012

机译：通过Au辅助分子束外延生长后的GaAs（111）纳米线和Si（111）衬底之间的晶格参数调节
7. Growth and Characterization of p-type InSb on n-type (111) and (110) InSb Substrates using Molecular Beam Epitaxy [O] . M. Mohammadkh, J. Fariborz, A. Mohades Ka 2010

机译：使用分子束外延的N型（111）和（110）内部基质的p型INSB的生长和表征
8. InSb Infrared Photodetectors on Si Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy [R] . Michel, E., Xu, J., Kim, J. D., 1996

机译：分子束外延生长的si衬底上的Insb红外光电探测器

Growth and Characterization of p-type InSb on n-type (111) and (110) InSb Substrates using Molecular Beam Epitaxy

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅