公开/公告号CN210953570U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司;
申请/专利号CN201921484951.5
发明设计人 王文杰;
申请日2019-09-06
分类号
代理机构嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙);
代理人张抗震
地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号(中科院三期)17号楼2楼203室
入库时间 2022-08-22 15:07:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
授权
授权
机译: 在再生长反应器中通过反应离子刻蚀然后原位刻蚀形成激光台面的方法
机译: 通过循环生长/刻蚀沉积工艺选择性生长嵌入式半导体中的原位掺杂形成的浅PN结
机译: 通过循环生长/刻蚀沉积工艺选择性生长嵌入式半导体中的原位掺杂形成的浅PN结