首页> 中国专利> 超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

摘要

本实用新型公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统,快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀,所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接,电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统,所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接。本实用新型公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统,可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。

著录项

  • 公开/公告号CN210953570U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-07-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 仪晟科学仪器(嘉兴)有限公司;

    申请/专利号CN201921484951.5

  • 发明设计人 王文杰;

    申请日2019-09-06

  • 分类号

  • 代理机构嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张抗震

  • 地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号(中科院三期)17号楼2楼203室

  • 入库时间 2022-08-22 15:07:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-07

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号