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一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法

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一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)以碳纸为衬底，在0.05 mol/L的Co(NO

著录项

公开/公告号CN103928276B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人宁波工程学院;
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申请/专利号CN201410176393.1
发明设计人杨为佑;杨阳;王霖;尉国栋;郑金桔;高凤梅;杨祚宝;尚明辉;
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申请日2014-04-29
分类号
代理机构
代理人
地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路201号
入库时间 2022-08-23 09:42:33

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

授权

授权
2014-08-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 9/02 申请日:20140429

实质审查的生效
2014-07-16

公开

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