一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构

摘要

本实用新型公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层电子迁移率不高的问题。本产品包括衬底、c‑GaN层、i‑GaN层和AlGaN barrier层，所述衬底位于最底层，衬底的上部设置有AIN缓冲层，AIN缓冲层的上部设置有AlGaN缓冲层，AlGaN缓冲层位于c‑GaN层的下方，i‑GaN层位于c‑GaN层的上方，AlGaN barrier层位于i‑GaN层的上部，i‑GaN层和AlGaN barrier层之间设置有AlN spacer层，AlGaN barrier层的上部设置有P‑AlInGaN层。