首页> 中国专利> 直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉

直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉

摘要

直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉,涉及一种单晶生长炉设备,尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉,将石墨件安装在石英炉管外面,并由石英保温圈包裹将其密封,再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部;其中,石英炉管分为两段,上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔;所述的石英支撑件分为两个部分,一部分设置于石英炉管内,另一部分设置于石英炉管外部,支撑石墨件及石英保温圈。本实用新型的结构减少了部件所产生的污染源,进而提升超高纯锗单晶的质量水平,从而保证了晶体生长过程中热传导的均匀性,并且延长了石墨件的使用寿命。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-14

    专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/08 登记生效日:20191226 变更前: 变更后: 变更前:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-06-28

    授权

    授权

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号