一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉

摘要

本发明公开了一种提高直拉法单晶生长速度的单晶炉，包括导流筒，在导流筒内设置有冷却装置，所述冷却装置包括环绕导流筒内壁的钼筒，钼筒的内侧环绕设置中空的铜管，铜管的两端伸出到单晶炉外部，其中一端为冷却介质的进口，一端为冷却介质的出口，铜管内充满流动的冷却介质。铜管的内侧连接设置铜筒。本单晶炉结构设计合理，铜管按照一定锥度绕制后，穿出炉外，杜绝了冷却介质在炉内泄漏的可能。导流筒可以避免熔体飞溅到冷却装置。在直拉法单晶炉热场中采用该装置，可以强化生长界面附近的晶体冷却效果，增大晶体的纵向温度梯度，从而大幅提高晶体的生长速度。达到快速生长晶体，降低晶体加工成本的目的。