防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法

摘要

本发明公开了一种防止PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：进行多晶硅淀积，第一段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的底层部分，第二段多晶硅淀积形成栅极多晶硅的顶层部分，第二段多晶硅淀积中通入氧气使顶层部分中同时形成一氧化硅阻挡层；栅极多晶硅生长完成后注入硼离子；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在栅极多晶硅生长过程中使其表面形成一层氧化硅阻挡层，该氧化硅阻挡层能防止后续热过程中硼从栅极多晶硅渗透到钨硅层中，多晶硅生长完成后再进行硼离子注入，这样能有效降低硼在钨硅层中的聚集，从而能有效抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。