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一种在蓝宝石基板上含氧氮化铝复合缓冲层的结构

摘要

本实用新型公开了一种在蓝宝石基板上含氧氮化铝复合缓冲层的结构。现今在蓝宝石基板上磁控反应溅射氮化铝薄膜的工艺,在调节合适的氧气量可以获得最匹配于蓝宝石基板较好品质的含氧氮化铝薄膜层,但此含氧氮化铝薄膜层作为后续氮化镓系外延层生长前的缓冲层并不佳。本实用新型公开了一种在蓝宝石基板上含氧氮化铝复合缓冲层的结构,其中:最靠近衬底的氮化铝层氧含量最高,而最远离衬底的氮化铝层氧含量最低。本实用新型的优点在于:在蓝宝石基板上溅射匹配基板的高含氧量氮化铝层和匹配外延层的低含氧量氮化铝层,最终获得匹配外延层生长的高晶体质量的氮化铝复合薄膜过渡层,能明显提高氮化镓系外延层晶体质量。

著录项

  • 公开/公告号CN208548361U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-02-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西兆驰半导体有限公司;

    申请/专利号CN201820983050.X

  • 发明设计人 武良文;

    申请日2018-06-25

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室

  • 入库时间 2022-08-22 08:17:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-26

    授权

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