公开/公告号CN208352330U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 江西兆驰半导体有限公司;
申请/专利号CN201820983048.2
发明设计人 武良文;
申请日2018-06-25
分类号
代理机构
代理人
地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
入库时间 2022-08-22 07:45:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
授权
授权
机译: 氮化镓系垂直发光二极管元件中蓝宝石基材料和晶体薄膜的分离方法及氮化镓系垂直发光元件的结构
机译: 氮化镓3维(3D)结构,氮化镓3维(3D)阵列,使用具有平面表面的3维氮化镓柱结构和发光表面(LED)制造发光二极管(LED)的方法具有平面的三维氮化镓柱结构
机译: 一种基于氮化镓的发光二极管器件的氮化镓基质分离方法,该器件包括可回收的氮化镓基质,能够降低制造成本和缺陷密度