机译:使用Ag纳米纳入结构提高氮化镓基发光二极管发光效率
Yanshan Univ Sch Elect Engn Measurement Technol &
Instrumentat Key Lab Hebei Qinhuangdao Hebei Peoples R China;
Hebei Normal Univ Sci &
Technol Sch Math &
Informat Sci &
Technol Qinhuangdao Hebei Peoples R China;
Yanshan Univ Sch Elect Engn Measurement Technol &
Instrumentat Key Lab Hebei Qinhuangdao Hebei Peoples R China;
Univ Strathclyde Inst Photon Dept Phys Glasgow Lanark Scotland;
Yanshan Univ Sch Elect Engn Measurement Technol &
Instrumentat Key Lab Hebei Qinhuangdao Hebei Peoples R China;
optical devices; light-emitting diode; finite-element method; grating; surface plasmon;
机译:使用Ag纳米纳入结构提高氮化镓基发光二极管发光效率
机译:电驱动的无磷白色发光二极管,使用基于氮化镓的双同心截头金字塔结构
机译:高温时效引起的垂直结构氮化镓发光二极管效率下降
机译:具有增强的发光效率和高色渲染的白色发光二极管,使用分离量子点@二氧化硅/磷光体结构
机译:氮化镓基发光二极管上的渐变折射率结构,用于光提取效率增强和远场发射控制
机译:电气驱动的无磷白色发光二极管采用基于氮化镓的双同心截头金字塔结构
机译:通过使用氮化物/空气分布的布拉格反射器纳米光栅提高AlGaN纳米线紫外发光二极管的光提取效率