一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板

摘要

本实用新型提供了一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板，属于氧化稼单晶生长技术领域。本实用新型的半封闭式导模板，在导模板主体的出料端设有向下凹陷的顶端V型槽，在导模板主体的左右两端分别设有侧面V型槽；顶端V型槽和侧面V型槽均为钝角开口。同时，在导模板主体的左右两端分别用一块密封板将第一侧板和第二侧板铆接，并将主供料缝左右两侧密封。本实用新型增加了导模板边缘在单位时间内的供料量，提高了供料速度，并可有效抑制氧化镓的挥发现象，提高了晶体生长拉速和质量，降低了成本，便于工业大尺寸大批量生产。