一种高能注入埋层双通道LDMOS器件

摘要

本实用新型公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。本实用新型能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。