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公开/公告号CN108172623A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 成都信息工程大学;
申请/专利号CN201810174517.0
发明设计人 毛焜;姚尧;
申请日2018-03-02
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人胡川
地址 610225 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区学府路一段24号
入库时间 2023-06-19 05:44:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20180302
实质审查的生效
2018-06-15
公开
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机译: 具有掩埋层的P型LDMOS器件可解决穿通问题及其制造工艺
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