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基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用

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摘要

本发明公开了一种基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器件的制备方法，利用带隙调控的(ZrO

1. 基于带隙调控的新型电荷陷阱型存储器、其制备方法及应用 [P] . 中国专利： CN103545316B . 2016.06.15
2. 具有多个用以储存电荷的电荷储存层的带隙工程存储器 [P] . 中国专利： CN105226062B . 2018.03.20
3. BAND GAP-CONTROLLED MEMORY INCLUDING MULTIPLE CHARGE TRAPPING LAYERS STORING CHARGE [P] . 韩国专利： KR20160009299A . 2016-01-26

机译：带隙控制的存储器，包括多个电荷陷阱层存储电荷
4. BANDGAP-ENGINEERED MEMORY INCLUDING A PLURALITY OF CHARGE TRAP LAYERS FOR STORING CHARGES [P] . 日本专利： JP2016018805A . 2016-02-01

机译：带隙工程化的存储器，包括用于存储电荷的多个电荷陷阱层
5. Bandgap engineered charge trapping memory in two-transistor nor architecture [P] . 美国专利： US8861273B2 . 2014-10-14

机译：两晶体管或体系结构中的带隙工程电荷陷阱存储器