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MOSFET漏源极耐压检测电路

摘要

本实用新型揭示了一种MOSFET漏源极耐压检测电路,包括设有MOSFET管的待检测模块和测试电路模块,待检测模块包括第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2,第一MOSFET管Q1的漏极与第二MOSFET管Q2的漏极连接,测试电路模块包括电压可调的电源,电源一端连接至第一MOSFET管Q1的栅极和源极而另一端连接至第二MOSFET管Q2的栅极和源极构成回路,回路还串联有用于检测回路中电流值的电流检测仪以及用于稳定回路中电流的稳流单元。本实用新型实施例通过将电源的两端分别于两个MOSFET管的栅极和源极连接构成回路,且回路中连接有电流检测仪以检测回路中的电流值,再通过连接有稳流单元使得回路中的电流稳定,避免因回路中电流波动大而造成测量出现误差的情况,提高测量的准确度和测量效率。

著录项

  • 公开/公告号CN207380122U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 欣旺达电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201721529526.4

  • 申请日2017-11-13

  • 分类号

  • 代理机构深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王杰辉

  • 地址 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区颐和路2号综合楼1楼、2楼A-B区、2楼D区-9楼

  • 入库时间 2022-08-22 05:01:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-18

    授权

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