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公开/公告号CN207380122U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 欣旺达电子股份有限公司;
申请/专利号CN201721529526.4
发明设计人 吴玮琪;龚珍;杨亭亭;李武岐;袁唯;
申请日2017-11-13
分类号
代理机构深圳市明日今典知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王杰辉
地址 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区颐和路2号综合楼1楼、2楼A-B区、2楼D区-9楼
入库时间 2022-08-22 05:01:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-18
授权
机译: 具有固相扩散源极/漏极扩展的高架源极/漏极MOSFET
机译: MOSFET固相扩散源极/漏极扩展形成高架源极/漏极的方法
机译: 用于深亚微米MOSFET的具有固相扩散源极/漏极扩展的高源极/漏极
机译:具有场感应源极/漏极扩展的6H-SiC肖特基势垒源极/漏极NMOSFET
机译:降低源极/漏极(LSD)和升高源极/漏极(RSD)超薄体(UTB)SOI MOSFET的比例
机译:短通道“外在”MOSFET漏极电流依赖性对漏极 - 源极偏差的分段近似,包括线性三极管,线性饱和度和渐近饱和度
机译:氮化镓异质源极漏极MOSFET
机译:洛仑兹力对单漏极MOSFET的漏极电流调制用于磁传感应用
机译:使用MOSFET栅极到漏极和漏极 - 源寄生电容的负载独立式-E逆变器设计
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。