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范菊平; 游海龙; 贾新章;
西安电子科技大学微电子学院;
金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 高功率微波; 热电损伤; 熔丝;
机译:对“具有20 nm物理栅极长度的NMOSFET进行了校正,该NMOSFET具有1.2 nm栅极氧化物,浅注入的源极和漏极以及BF / sub 2 /口袋〜
机译:深亚微米nMOSFET中的热载流子退化:轻掺杂漏极与大角度倾斜注入漏极
机译:20纳米物理栅极长度NMOSFET,具有1.2纳米栅极氧化物,浅注入的源极和漏极以及BF / sub 2 /口袋
机译:漏极注入大功率微波对NMOSFET的损伤机理及过程的研究
机译:回顾急性脊髓损伤的发病机理和治疗方法,并探讨使用尿液3-HPMA作为犬急性脊髓损伤后继发性损伤的新型生物标志物。
机译:肝细胞癌发病机理中的错配修复基因(hMLH1hPMS1hPMS2GTBP / hMSH6hMSH2)
机译:源极/漏极残余物注入晶格损伤阱对碳化硅金属半导体场效应晶体管漏极IV特性的影响
机译:电解质量,漏极率和电极几何形状对氧化铜 - 镁热电池性能的影响
机译:利用总闸极硅化过程在源/漏区同时形成硅化物层和闸极硅化物层并在源极/漏极离子注入过程中防止离子注入的方法来制造MOS晶体管的方法
机译:等离子体诱发的损伤预防半导体装置,包括等离子体诱发的损伤保护二极管
机译:闪存EEPROM单元在浮置栅极和漏极之间具有间隙,可实现较高的热电子注入效率
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