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一种基于硅片键合的真空封装结构

摘要

本实用新型公开了一种基于硅片键合的真空封装结构,包括基底硅片和封盖硅片,基底硅片的上表面固定安装有阻气层和支撑垫片,且支撑垫片设置在阻气层的左右两端,在基底硅片的上方固定安装有空腔结构,空腔结构的下方为基底硅片,在空腔结构的内部固定安装有吸气剂,空腔结构的数量为多个,多个空腔结构在基底硅片的上方平行排列;封盖硅片固定安装在基底硅片的上方,在封盖硅片的下表面固定安装有第一聚合物层,且封盖硅片通过第一聚合物层完全涂覆在基底硅片的上表面,在封盖硅片的上方还固定安装有聚合物层,该真空封装结构通过硅片的相互键合作用,使得气体通过排气孔道排放,内部空腔的真空度良好。

著录项

  • 公开/公告号CN206529290U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏晶鼎电子材料有限公司;

    申请/专利号CN201621409657.4

  • 申请日2016-12-21

  • 分类号B81B7/00(20060101);

  • 代理机构11590 北京市领专知识产权代理有限公司;

  • 代理人林辉轮

  • 地址 223700 江苏省宿迁市泗阳县经济开发区广东路18号

  • 入库时间 2022-08-22 03:02:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-29

    授权

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