一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构

摘要

本实用新型公开了一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaN：C故意碳掺杂层的厚度为5‑500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5‑500nm。GaN:C/GaN超晶格可以提高氮化镓材料的电阻同时不降低其晶体质量，可以提高GaN/AlGaN异质结HEMT器件的耐高压特性、可靠性和寿命等特性。