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一种基于CMOS工艺的高精度全硅振荡器

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺的高精度全硅振荡器,包括壳体,所述壳体内设有硅片,所述硅片连接有引脚,所述壳体上设有挂钩,所述挂钩下侧设有滑槽,所述滑槽上设有转轴,所述转轴上设有支架,所述支架上设有锁扣,所述壳体底部设有橡胶密封圈,所述壳体内设有恒温层,所述恒温层上设有气孔,所述恒温层内设有换热板,所述换热板内设有气管,所述气管连接气孔,所述气孔连接有气泵,所述气泵内设有加热阻丝,所述加热阻丝连接有电压控制器,本实用新型可以随时更换壳体,壳体内的温度也可以保持恒定,本实用新型具有较高的商业推广价值。

著录项

  • 公开/公告号CN205945650U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市炬烜科技有限公司;

    申请/专利号CN201620635244.1

  • 发明设计人 李秀琴;

    申请日2016-06-24

  • 分类号

  • 代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人侯蔚寰

  • 地址 518000 广东省深圳市福田区深南大道6021号喜年中心A座1117

  • 入库时间 2022-08-22 02:10:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-08

    授权

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