法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-03
避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L27/02 授权公告日:20160713 放弃生效日:20180403 申请日:20160311
避免重复授权放弃专利权
2016-07-13
授权
授权
机译: 嵌入式高压LDMOS-SCR器件具有强大的电压钳位和ESD鲁棒性
机译: 具有强电压钳位和ESD稳健性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件
机译: 具有强电压钳位和ESD稳健性的嵌入式高压LDMOS-SCR器件