一种基于BT基板的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器

摘要

本实用新型公开了一种基于BT基板的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，包括BT基板及其表面和内部集成的微波功率放大器电路，所述微波功率放大器电路包括依次级联的GaAs功率放大器和LDMOS/GaN功率放大器。本实用新型采用BT基板作为微波功率放大器电路的基板，结合GaAs和LDMOS/GaN两种功率器件的优点，采用基板上低阻匹配的方法直接完成GaAs功放芯片和LDMOS/GaN芯片之间的阻抗匹配，能够很好地将GaAs和LDMOS/GaN两种不同工艺的器件混合集成在同一块基板上，同时解决传统高频基板在介电损耗、膨胀系数等方面的问题，模块集成度高，封装成本低，产品尺寸小，完全实现芯片内匹配，应用更方便。