公开/公告号CN103226252B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201310161729.2
申请日2013-05-06
分类号G02F1/025(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:39:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/025 授权公告日:20160518 终止日期:20170506 申请日:20130506
专利权的终止
2016-05-18
授权
授权
2016-05-18
授权
授权
2013-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/025 申请日:20130506
实质审查的生效
2013-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/025 申请日:20130506
实质审查的生效
2013-07-31
公开
公开
2013-07-31
公开
公开
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机译: 硅基电光调制器的掺杂结构
机译: 一种加热结构,被配置为提高调制器装置中的热效率
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