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一种硅基吸收型电光调制器及提高调制效率的方法

摘要

本发明的实施例公开了一种硅基吸收型电光调制器。硅基吸收型电光调制器包括硅衬底;形成在硅衬底上的埋氧层;形成在埋氧层上的光波导;所述光波导具有一个或多个轻掺杂区,所述轻掺杂区包括掺杂N型杂质的N型轻掺杂区和掺杂P型杂区的P型轻掺杂区,其中所述N型轻掺杂区与所述P型轻掺杂区重叠。通过在波导区掺入杂质,降低载流子迁移率,从而提高吸收系数。通过在波导区同时掺入N型杂质和P型杂质,并使两种杂质完全重叠,解决在波导区掺入杂质会提高器件的光学损耗的技术问题,可以在不产生额外的损耗的情况下,降低载流子迁移率,提高吸收系数。

著录项

  • 公开/公告号CN110109266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海硅通半导体技术有限公司;

    申请/专利号CN201810100488.3

  • 发明设计人 李冰;李营营;

    申请日2018-02-01

  • 分类号

  • 代理机构上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张东梅

  • 地址 200438 上海市杨浦区国定路335号2号楼1011-4室

  • 入库时间 2024-02-19 12:22:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/015 申请日:20180201

    实质审查的生效

  • 2019-08-09

    公开

    公开

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