绝缘体上硅芯片上的独立电压控制的硅区域

摘要

一种半导体芯片（100）具有独立电压控制的硅区域（110），该独立电压控制的硅区域是用于控制eDRAM沟槽电容器（140）的电容值和叠置在独立电压控制的硅区域（110）上的场效晶体管（130）的阈值电压的电路元件。独立电压控制的硅区域（110）的底部或地板是深注入区（105），该深注入区的掺杂与独立电压控制的硅区域（110）的掺杂相反。独立电压控制的硅区域（110）的顶部或天花板是诸如注入在基板中的埋设的氧化物（103）。独立电压控制的硅区域的侧部是深沟槽隔离（106）。通过接触结构（107）施加独立电压控制的硅区域（110）的电压，该接触结构（107）形成得通过埋设的氧化物（103）。