基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件

摘要

基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件，包括硅片本体和硅片本体上的栅极，栅极与硅片本体之间具有绝缘层，位于绝缘层下方两侧的源极和漏极，及位于源极和漏极周围及下方的外延层，靠近源极的漏极外侧及漏极下方设置有漂移区，所述漂移区掺杂浓度低于漏极，所述漂移区上方未覆盖有栅极，所述漏极靠近栅极一端设置有覆盖在漏极表面的硅化金属层。本实用新型通过在漏极部分或全部覆盖硅化金属层，减小漏极表面的电阻率，增大了栅极到漏极的电容，在作为静电防护器件时有利于MOS管的导通，同时由于漏极接触电阻减小，泄放静电的能力进一步得到增强。