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31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany
31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany
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1.
Sacrificial spacer technology for suppressed reverse narrow channel effects with shallow trench isolation
机译:
牺牲隔离层技术通过浅沟槽隔离来抑制反向窄沟道效应
作者:
M. Lunenborg
;
W. De Coster
;
A. Inard
;
J. Guelen
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
2.
A Trench DRAM Gain Cell for High Signal Charge at Reduced Cell Area
机译:
沟槽式DRAM增益单元,可在减小的单元面积上实现高信号电荷
作者:
W.H. Krautschneider
;
F. Hofmann
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
3.
Evaluation of MOSFET Reliability in Analog Applications
机译:
模拟应用中MOSFET可靠性评估
作者:
Roland Thewes
;
Ralf Brederlow
;
Christian Schluender
;
Peter Wieczorek
;
Benno Ankele
;
Alfred Hesener
;
Juergen Holz
;
Sylvia Kessel
;
Werner Weber
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
4.
Beyond the Conventional MOSFET
机译:
超越常规MOSFET
作者:
H.-S. Philip Wong
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
5.
Transport Equations for Submicron Size GaAs MESFETs
机译:
亚微米尺寸GaAs MESFET的传输方程
作者:
Yoshinori Yamada
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
6.
Vertical Double-Gate MOSFET based on epitaxial growth by LPCVD
机译:
基于LPCVD外延生长的垂直双栅极MOSFET
作者:
J. Moers
;
S. Trellenkamp
;
L. Vescan
;
M. Marso
;
P. Kordos
;
H. Lueth
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
7.
The Effect of Impact Ionization on the Subthreshold Leakage Current in N-Channel Double-Gate SOI Transistors
机译:
碰撞电离对N沟道双栅SOI晶体管的亚阈值漏电流的影响
作者:
Jae-Kwan Park
;
H.V. Deshpande
;
J. C. S. Woo
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
8.
Study of Degradation in Channel Initiated Secondary Electron Injection Regime
机译:
沟道引发的二次电子注入体系的降解研究
作者:
Nihar. R. Mohapatra
;
S. Mahapatra
;
V. Ramgopal Rao
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
9.
Multiple Gate Oxide Technology Using Fluorine Implantation
机译:
使用氟注入的多栅极氧化物技术
作者:
P.H. Woerlee
;
M.J. Knitel
;
V.M.H. Meyssen
;
R.M.D.A. Velghe
;
A.T.A. Zegers van Duijnhoven
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
10.
Multiple delta doping in aggressively scaled PHEMTs
机译:
在积极扩展的PHEMT中进行多增量掺杂
作者:
K. Kalna
;
A. Asenov
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
11.
Modelling the Current Density and Resistance of Interconnect Vias
机译:
建模互连过孔的电流密度和电阻
作者:
O.K. Reeves
;
A.S. Holland
;
P.W. Leech
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
12.
Generation of the electrothermal Cauer RC model using a recursive method
机译:
使用递归方法生成电热Cauer RC模型
作者:
Jeongwook Koh
;
Gerhard Noebauer
;
Chul An
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
13.
A Geiger Mode Avalanche Photodiode Fabricated in a Conventional CMOS Technology
机译:
采用常规CMOS技术制造的Geiger模式雪崩光电二极管
作者:
A. Rochas
;
P.A. Besse
;
R.S. Popovic
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
14.
100GHz SiGe:C HBTs using non selective base epitaxy
机译:
使用非选择性基本外延的100GHz SiGe:C HBT
作者:
B. Martinet
;
H. Baudry
;
O. Kermarec
;
Y. Campidelli
;
M. Laurens
;
M. Marty
;
T. Schwartzmann
;
A. Monroy
;
D. Bensahel
;
A. Chantre
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
15.
300 GHz InP/GaAs_(1-x)Sb_x/InP DHBTs
机译:
300 GHz InP / GaAs_(1-x)Sb_x / InP DHBT
作者:
C. R. Bolognesi
;
M.W. Dvorak
;
O.J. Pitts
;
S.P. Watkins
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
16.
92-GHz-Dynamic and 72-GHz-Static Frequency Dividers Using 5.4-ps-ECL Self-Aligned SEG SiGe HBTs
机译:
使用5.4psECL自对准SEG SiGe HBT的92GHz动态和72GHz静态分频器
作者:
K. Washio
;
E. Ohue
;
K. Oda
;
R. Hayami
;
M. Tanabe
;
H. Shimamoto
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
17.
70 nm Damascene-Gate MOSFETs with Minimal Polysilicon Gate-Depletion
机译:
具有最小多晶硅栅极损耗的70 nm镶嵌栅极MOSFET
作者:
Hussein I. Hanafi
;
Russell Arndt
;
Diane Boyd
;
Wesley Natzle
;
Adam Ticknor
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
18.
Laser interferometric mapping of smart power ESD protection devices with different blocking capabilities
机译:
具有不同阻断功能的智能电源ESD保护设备的激光干涉图
作者:
S. Bychikhin
;
M. Litzenberger
;
G. Groos
;
M. Stecher
;
P. Kamvar
;
C. Fuerboeck
;
D. Pogany
;
E. Gornik
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
19.
Influence of Layout parameters on Triggering Behavior in 0.35 μm and 0.18 μm Process gg-nMOS ESD Protection Devices
机译:
布局参数对0.35μm和0.18μm过程gg-nMOS ESD保护器件中触发行为的影响
作者:
M. Litzenberger
;
R. Pichler
;
D. Pogany
;
E. Gornik
;
K. Esmark
;
H. Gossner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
20.
Junction leakage in advanced CMOS technologies
机译:
先进CMOS技术中的结泄漏
作者:
C.J.J. Dachs
;
R. Surdeanu
;
D. Guyot
;
A. Parlangeli
;
Y.V. Ponomarev
;
P.A. Stolk
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
21.
Junction-to-Case Thermal Modeling and the Significance of the Junction Power Profile on Thermal Response
机译:
结到案例的热建模以及结功率分布对热响应的意义
作者:
Erik A. McShane
;
Krishna Shenai
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
22.
Investigation of pMOSFET Hot Electron Induced Punch through (HEIP) in Shallow Trench Isolation
机译:
浅沟槽隔离中MOSFET热电子感应穿通(HELP)的研究
作者:
Jae-kyu Lee
;
Sang-hyeon Lee
;
G. T. Jeong
;
T. Y. Chung
;
Kinam Kim
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
23.
Gate and Source/Drain Engineering for 50 nm P-Channel MOSFET
机译:
50 nm P沟道MOSFET的栅极和源极/漏极工程
作者:
G. Guegan
;
S. Deleonibus
;
G. Bertrand
;
D. Souil
;
P. Rivallin
;
S. Tedesco
;
P. Mur
;
P. Holliger
;
M.E. Nier
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
24.
Stress Induced Leakage Current under EEPROM like Dynamic Stress
机译:
像动态应力一样在EEPROM下产生应力引起的漏电流
作者:
S. Croci
;
J.P. Sorbier
;
C. Plossu
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
25.
Stable and unstable dynamic avalanche in fast Silicon Power Diodes
机译:
快速硅功率二极管中的稳定和不稳定动态雪崩
作者:
Martin Domeij
;
Josef Lutz
;
Dieter Silber
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
26.
Relationship of conduction and noise parameters in Low Temperature Poly-Si TFTs
机译:
低温多晶硅TFT中的传导和噪声参数之间的关系
作者:
A. Mercha
;
L. Pichon
;
R. Carin
;
O. Bonnaud
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
27.
Relaxation model for ferroelectric capacitors
机译:
铁电电容器的松弛模型
作者:
G. Le Grand de Mercey
;
O. Kowarik
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
28.
Relevance of Gate Current for the Functionality of Deep Submicron CMOS Circuits
机译:
栅极电流与深亚微米CMOS电路功能的相关性
作者:
Stefan Schwantes
;
Wolfgang Krautschneider
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
29.
Realization of Compact MOSFET Structure by Waffle-Layout
机译:
通过华夫布局实现紧凑型MOSFET结构
作者:
Sang Lam
;
Wing Hung Ki
;
Ka Chun Kwok
;
Mansun Chan
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
30.
Radiation damage of InGaAsP laser diodes by high-temperature y-ray and electron irradiation
机译:
高温y射线和电子辐照对InGaAsP激光二极管的辐射损伤
作者:
H. Ohyama
;
T. Hirao
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
T. Kudou
;
S.Onoda
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
31.
Photo Carrier Generation in Bipolar Transistors
机译:
双极晶体管中的光生载流子
作者:
J.H. Klootwijk
;
J.W. Slotboom
;
M.S. Peter
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
32.
Pockets and offset spacer engineering for 100 nm CMOS
机译:
适用于100 nm CMOS的腔和偏置垫片工程
作者:
R. Surdeanu
;
C.J.J. Dachs
;
P.A. Stolk
;
F.N. Cubaynes
;
Y.V. Ponomarev
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
33.
Optimization of Industrial High Voltage Structures by Three-Dimensional Diffusion Simulation
机译:
三维扩散模拟优化工业高压结构
作者:
Johann Cervenka
;
Peter Fleischmann
;
Siegfried Selberherr
;
Martin Knaipp
;
Franz Unterleitner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
34.
A Novel DRAM Technology using Dual Spacer and mechanically Robust Capacitor for 0.12μm DRAM and beyond
机译:
采用双垫片和机械坚固电容器的新颖DRAM技术,适用于0.12μmDRAM及以上
作者:
Jaegoo Lee
;
Jinwoo Lee
;
Kwanhyeob Koh
;
Kyuhyun Lee
;
Changhyun Cho
;
Gitae Jeong
;
Hongsik Jeong
;
Taeyoung Chung
;
Kinam Kim
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
35.
A Self-aligned Bottom Gate Poly-Si TFT Technology
机译:
自对准底栅多晶硅TFT技术
作者:
Shengdong Zhang
;
Ruqi Han
;
Mansun Chan
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
36.
N-Well Engineering to Improve Soft-Error-Rate Immunity for P-Type Substrate SRAM Technologies
机译:
N-Well Engineering改善P型衬底SRAM技术的软错误率抗扰度
作者:
H. Puchner
;
Y.-C. Liu
;
W. Kong
;
F. Duan
;
R. Castagnetti
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
37.
Control gate patterning optimisation for improved yield of embedded FLASH technology
机译:
控制门图案优化可提高嵌入式FLASH技术的良率
作者:
M. Hendriks
;
E. Gerritsen
;
D. Dormans
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
38.
Arsenic and Phosphorus co-Implantation for Deep Submicron CMOS Gate and Source/Drain Engineering
机译:
砷和磷共注入用于深亚微米CMOS栅极和源极/漏极工程
作者:
E. Augendre
;
A. De Keersgieter
;
S. Kubicek
;
A. Redolfi
;
J. Van Laer
;
G. Badenes
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
39.
Bulk and contact 1/f noise in GaN TLM structures
机译:
GaN TLM结构中的体积和接触1 / f噪声
作者:
R. Feyaerts
;
L.K.J. Vandamme
;
Gy.Trefan
;
M.C.J.C.M. Kraemer
;
C. Zellweger
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
40.
Behaviour of the CoolMOS device and its body diode
机译:
CoolMOS器件及其体二极管的行为
作者:
K. Sheng
;
F. Udrea
;
G.A.J. Amaratunga
;
P.R. Palmer
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
41.
Characterization of the Gate SiO_2/Channel-Si Interface in Thin-gate SiO_2 MOSFETs by Low Frequency Noise and Charge Pumping Techniques
机译:
利用低频噪声和电荷泵技术表征薄栅SiO_2 MOSFET中的栅SiO_2 /沟道-Si界面
作者:
A. Szewczyk
;
T. Ernst
;
C. Leroux
;
G. Ghibaudo
;
J.A. Chroboczek
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
42.
CMOS based microdisplay devices
机译:
基于CMOS的微显示设备
作者:
Ian Underwood
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
43.
Compensation devices versus power MOS and high speed IGBT a device physics based guideline for the application
机译:
补偿器件与功率MOS和高速IGBT的比较-基于器件物理的应用指南
作者:
Gerald Deboy
;
Marco Puerschel
;
Markus Schmitt
;
Armin Willmeroth
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
44.
An experimental approach for bias-dependent drain series resistances evaluation in asymmetric HV MOSFETs
机译:
一种用于非对称HV MOSFET的偏置相关漏极串联电阻评估的实验方法
作者:
N. Hefyene
;
C. Anghel
;
A.M. Ionescu
;
S. Frere
;
R. Gillon
;
M. Vermandel
;
B. Bakeroot
;
J. Doutreloigne
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
45.
A Manufacturable Sub-50nm PMOSFET Technology
机译:
可制造的低于50nm的PMOSFET技术
作者:
J.J.G.P. Loo
;
Y.V. Ponomarev
;
M. Kaiser
;
M.A.Verheijen
;
F.N. Cubaynes
;
C.J.J Dachs
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
46.
A New Compact Isolation Structure in High Side Island Region of 600 VHVIC
机译:
600 VHVIC高侧岛区的新型紧凑型隔离结构
作者:
S. L. Kim
;
C. K. Jeon
;
J. J. Kim
;
Y. S. Choi
;
M. H. Kim
;
H. S. Kang
;
C. S. Song
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
47.
New polysilicon disposable sidewall process for sub-50 nm CMOS
机译:
用于50 nm以下CMOS的新型多晶硅一次性侧壁工艺
作者:
K.L.Lee
;
D.Boyd
;
J. Brancaccio
;
J. Bucchignano
;
J. Cai
;
K.Chan
;
H.Hanafi
;
P. Kozlowski
;
R. Miller
;
R.Roy
;
L. Shi
;
E. Sikorski
;
M. Surendra
;
S. Wind
;
Q.Yang
;
J. Yoon
;
C. Yu
;
Y. Zhang
;
Y. Taur
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
48.
Critical Study of the Saturation Drain Voltage and the Multiplication Current in MOSFETs at Liquid Helium Temperature
机译:
液氦温度下MOSFET的饱和漏极电压和倍增电流的关键研究
作者:
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
49.
RF-Noise of Deep-Submicron MOSFETs: Extraction and Modeling
机译:
深亚微米MOSFET的RF噪声:提取和建模
作者:
Gerhard Knoblinger
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
50.
A high-speed photodiode with improved sensitivity for blue and red spectra
机译:
高速光电二极管,对蓝色和红色光谱具有更高的灵敏度
作者:
M. Hohenbild
;
A. Ghazi
;
H. Zimmermann
;
P. Seegebrecht
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
51.
Gate current scaling rules characterization, an efficient tool for gate oxide optimisation in 0.12μm CMOS technologies
机译:
栅极电流缩放规则表征,0.12μmCMOS技术中用于栅极氧化物优化的有效工具
作者:
Willem-Jan Toren
;
Franck Arnaud
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
52.
Lattice-Gauge Theoretical Modeling of Back-End Structures
机译:
后端结构的格规理论建模
作者:
Peter Meuris
;
Wim Schoenmaker
;
Wim Magnus
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
53.
Transient Minority Carrier Collection from the Substrate in Smart Power Design
机译:
智能电源设计中的基板瞬态少数载流子集合
作者:
M. Schenkel
;
P. Pfaeffli
;
W. Wilkening
;
D. Aemmer
;
W. Fichtner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
54.
Thermal Robustness of Silicon-on-Insulator Versus Bulk Material in L-Band RF Power LDMOSFETs
机译:
L波段RF功率LDMOSFET中绝缘体上硅与散装材料的热稳定性
作者:
Erik A. McShane
;
Krishna Shenai
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
55.
The Role of Technology CAD in Early Process Development
机译:
技术CAD在早期过程开发中的作用
作者:
Helmut Puchner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
56.
Double Gate 3D AC Switch - a new power semiconductor device
机译:
双门3D AC开关-一种新型功率半导体器件
作者:
K. Sheng
;
F. Udrea
;
G.A.J. Amaratunga
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
57.
Ultra-low noise strained Si/SiGe n- and Ge/SiGe p- MODFETs
机译:
超低噪声应变Si / SiGe n-和Ge / SiGe p- MODFET
作者:
M. Enciso
;
F. Aniel
;
P. Crozat
;
M. Zeuner
;
G. Hock
;
A. Fox
;
L. Giguerre
;
R. Adde
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
58.
Tunnel Oxide Optimization for Device Scaling down: Nitridation Impact on Stress Induced Leakage Current
机译:
器件缩小的隧道氧化物优化:氮化对应力感应漏电流的影响
作者:
G. Ghidini
;
A. Sebastiani
;
D. Brazzelli
;
R. Zonca
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
59.
The Impact of High-K Gate Dielectrics on Sub 100 nm CMOS Circuit Performance
机译:
高K栅极电介质对100 nm以下CMOS电路性能的影响
作者:
Nihar. R. Mohapatra
;
Madhav P. Desai
;
Siva G. Narendra
;
V. Ramgopal Rao
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
60.
Temperature Characterization of NDR in AlGaN/GaN HFETs
机译:
AlGaN / GaN HFET中NDR的温度特性
作者:
H. Maher
;
C.R. Bolognesi
;
E.L. Piner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
61.
Surrounding Gate Select Transistor for 4F~2 Stacked Gbit DRAM
机译:
用于4F〜2堆叠Gbit DRAM的环绕栅极选择晶体管
作者:
F. Hofmann
;
W. Roesner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
62.
Structural Improvement of Nickel Metal-Induced-Lateral-Crystallized Silicon Films Using Excimer Laser Annealing
机译:
准分子激光退火对镍金属诱导的侧面结晶硅膜的结构改进
作者:
M. Miyasaka
;
K. Makihira
;
T. Asano
;
J. Stoemenos
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
63.
NO oxides for low noise 0.18μm analog CMOS
机译:
用于低噪声0.18μm模拟CMOS的NO氧化物
作者:
M. Da Rold
;
E. Simoen
;
B. De Jaeger
;
N. Lietaer
;
A.Rothschild
;
A. De Keersgieter
;
S. Decoutere.
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
64.
Impact of Channel Engineering Technology on HC Performance of 100 nm MOSFETs
机译:
通道工程技术对100 nm MOSFET HC性能的影响
作者:
S. Okhonin
;
P. Fazan
;
S.Kubicek
;
K.Henson
;
K.De Meyer
;
Y. V.Ponomarev
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
65.
ILD Development for Embedded 0.18μm FLASH Technology
机译:
针对嵌入式0.18μmFLASH技术的ILD开发
作者:
A.Cacciato
;
G. van de Ven
;
P. Habas
;
M. de Keijser
;
C. Deuper
;
X.M. Zhang
;
D. Dormans
;
R. Verhaar
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
66.
Elimination of stress induced silicon defects in very high-density SRAM structures
机译:
消除非常高密度SRAM结构中应力引起的硅缺陷
作者:
P. Ferreira
;
R-A Bianchi
;
F. Guyader
;
R. Pantel
;
E Granger
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
67.
Evaluation of Soft Errors in DRAM and SRAM using Nuclear Microprobe and Neutron Source
机译:
使用核微探针和中子源评估DRAM和SRAM中的软错误
作者:
M. Takai
;
Y. Arita
;
S. Abo
;
T. Iwamatsu
;
S. Maegawa
;
H. Sayama
;
Y. Yamaguchi
;
M. Inuishi
;
T. Nishimura
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
68.
Experiences with Cu Interconnect Metallization at AMD's Microprocessor Megafab in Dresden
机译:
在德累斯顿的AMD微处理器Megafab中进行铜互连金属化的经验
作者:
Hans-Raimund Deppe
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
69.
Experimental Evidence of Impact Ionisation in InP HBT's Designed for Rapid Digital Applications: Implementation in a DC Model
机译:
InP HBT专为快速数字应用设计的碰撞电离的实验证据:在DC模型中的实现
作者:
C. Maneux
;
J.-C. Martin
;
M. Riet
;
N. Labat
;
A. Touboul
;
J.-L. Benchimol
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
70.
Experimental and Numerical Study of Shallow Trench Isolation Processes
机译:
浅沟槽隔离过程的实验与数值研究
作者:
A. Erlebach
;
C. S. Yun
;
D. Matveev
;
R. Mickevicius
;
F. Nouri
;
A. Golnas
;
S. Zelenka
;
W. Fichtner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
71.
Explanation of IGBT Tail Current Oscillations by a Novel 'Plasma Extraction Transit Time' Mechanism
机译:
新型“等离子提取传输时间”机制对IGBT尾电流振荡的解释
作者:
Bernd Gutsmann
;
Dieter Silber
;
Paul Mourick
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
72.
Si/Si_(0.64)Ge_(0.36)Si pMOSFETs with Enhanced Voltage Gain and Low 1/f Noise
机译:
具有增强的电压增益和低1 / f噪声的Si / Si_(0.64)Ge_(0.36)Si pMOSFET
作者:
M.J.Prest
;
M.J.Palmer
;
G.Braithwaite
;
T.J.Grasby
;
P.J.Phillips
;
O.A.Mironov
;
E.H.C.Parker
;
T.E.Whall
;
A.M.Waite
;
A.G.R.Evans
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
73.
SiGe-Bipolartransistors with Selectively Grown Base: Influence of Growth and Layout on Electrical Parameters
机译:
具有选择性生长的SiGe双极晶体管:生长和布局对电参数的影响
作者:
K. Wolf
;
W. Klein
;
A. Berthold
;
S. Groendahl
;
T. Huttner
;
S. Drexl
;
M. Seck
;
R. Lachner
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
74.
Shallow Saturation and Fast Switching Characteristics of the Power BJT with Corrugated Base Junctions
机译:
波纹基结电源BJT的浅饱和度和快速开关特性
作者:
Chanho Park
;
Kwyro Lee
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
75.
Single Trap Characterization in 50nm MOS Transistors by Charge Pumping Measurements
机译:
通过电荷泵浦测量在50nm MOS晶体管中进行单阱表征
作者:
L.Militaru
;
P.Masson
;
C. Leroux
;
V. Celibert
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
76.
State of the Art Electronic Devices Based on Organic Materials
机译:
基于有机材料的最新电子设备
作者:
Eugenio Cantatore
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
77.
Resistance-Capacitance Equivalent Circuit For Quantum Dot and Nanocrystal Flash Memory Capacitor Structures
机译:
量子点和纳米晶体闪存电容器结构的电阻电容等效电路
作者:
R.J. Luyken
;
F. Hofmann
;
A.Lorke
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
78.
Quasi-Non Volatile Platband-Voltage Shift in Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Silicon-Rich-Oxide Dielectric
机译:
含高硅氧化物电介质的金属氧化物半导体电容器的准非挥发性平台带电压漂移
作者:
M. Rosmeulen
;
E. Sleeckx
;
K. De Meyer
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
79.
Physical Modeling of Deep-Submicron Devices
机译:
深亚微米设备的物理建模
作者:
Andreas Schenk
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
80.
Performance and Innovative Trends in RESURF Technology
机译:
RESURF技术的性能和创新趋势
作者:
Adriaan W. Ludikhuize
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
81.
Optimized Si/SiGe notched gates for CMOS
机译:
针对CMOS优化的Si / SiGe缺口栅极
作者:
S. Monfray
;
C.Julien
;
P.Ribot
;
F.Boeuf
;
D.Dutartre
;
J.Martins
;
E.Sondergard
;
T. Skotnicki
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
82.
A Varactor with High Capacitance Tuning Range in Standard 0.25μm CMOS Technology
机译:
采用标准0.25μmCMOS技术的具有高电容调谐范围的变容二极管
作者:
Judith Maget
;
Marc Tiebout
;
Rainer Kraus
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
83.
Accurate Simulation of Substrate Currents by Accounting for the Hot Electron Tail Population
机译:
考虑到热电子尾部种群的精确模拟衬底电流
作者:
Tibor Crasser
;
Hans Kosina
;
Markus Gritsch
;
Siegfried Selberherr
;
Helmut Puchner
;
Sheldon Aronowitz
会议名称:
《》
|
2001年
84.
Advanced Compact MOS Modelling
机译:
高级紧凑型MOS建模
作者:
R. van Langevelde
;
A.J. Scholten
;
R.J. Havens
;
L.F. Tiemeijer
;
D.B.M. Klaassen
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
85.
Optimisation of buried channel for 0.1 im MOSFETs with mid-gap metal gate
机译:
具有中间间隙金属栅极的0.1 im MOSFET的掩埋沟道优化
作者:
B. Tavel
;
E. Josse
;
D. Lenoble
;
C. Julien
;
T. Skotnicki
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
86.
A New Model for Threshold Voltage Mismatch Based on the Random Fluctuations of Dopant Number in the MOS Transistor Gate
机译:
基于MOS晶体管栅极掺杂数随机波动的门限电压不匹配新模型。
作者:
R. Difrenza
;
P. Llinares
;
G. Morin
;
E Granger
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
87.
High Quality Ultrathin La_2O_3 Films for High-k Gate Insulator
机译:
用于高k栅极绝缘子的高质量超薄La_2O_3薄膜
作者:
Shun-ichiro Ohmi
;
Chihiro Kobayashi
;
Koji Aizawa
;
Shuuichirou Yamamoto
;
Eisuke Tokumitsu
;
Hiroshi Ishiwara
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
88.
Enhanced Velocity Overshoot and Transconductance in Si/Si_(0.64)Ge_(0.36)/Si pMOSFETs - Predictions for Deep Submicron Devices
机译:
Si / Si_(0.64)Ge_(0.36)/ Si pMOSFET中增强的速度过冲和跨导-深亚微米器件的预测
作者:
M. J. Palmer
;
G. Braithwaite
;
M. J. Prest
;
E. H. C. Parker
;
T. E. Whall
;
Y. P. Zhao
;
S. Kaya
;
J. R. Watling
;
A. Asenov
;
J. R. Barker
;
A. M. Waite
;
A. G. R. Evans
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
89.
Electrical Characterization of Memory-Cell Structures Employing Ultra-Thin A1_2O_3 Film as Storage Node
机译:
以超薄A1_2O_3薄膜为存储节点的存储单元结构的电学表征
作者:
A.Fernandes
;
B.DeSalvo
;
P.Masson
;
G.Pananakakis
;
G.Ghibaudo
;
T.Baron
;
N.Buffet
;
D.Mariolle
;
B.Guillaumot
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
90.
Coupling between 2D and Quantum Confinement Effects in Ultra-Short Channel Double-Gate MOSFETs
机译:
超短沟道双栅极MOSFET的二维和量子约束效应之间的耦合
作者:
M. Mouis
;
A. Poncet
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
91.
Design of 50nm MOSFETs with Biased Side-gates
机译:
具有偏置侧栅的50nm MOSFET设计
作者:
Byung Yong Choi
;
Woo Young Choi
;
Young Jin Choi
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
92.
Characterization of ultra thin high K gate dielectrics by grazing x-ray reflectance and Spectroscopic Ellipsometry on the same instrument
机译:
在同一台仪器上通过掠射X射线反射率和光谱椭圆偏振法表征超薄高K栅极电介质
作者:
Pierre Boher
;
Jean-Louis Stehle
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
|
2001年
93.
Characterization and simulation of the parasitic BJT in 0.1 um Partially-depleted SOI devices
机译:
0.1 um部分耗尽SOI器件中寄生BJT的表征和仿真
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
O. Faynot
;
J. du Port de Pontcharra
;
C. Tabone
;
G. Lecarval
;
A. Grouillet
;
J. L. Pelloie
;
F. Balestra
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
94.
Carbon Implanted Halo for Super Halo Characteristic NFETs in Bulk and SOI
机译:
用于散装和SOI中超级光晕特性NFET的碳注入光晕
作者:
John Ellis-Monaghan
;
Kam-Leung Lee
;
Meikei Ieong
;
Isabel Yang
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
95.
Compact modelling of pocket-implanted MOSFETs
机译:
口袋注入式MOSFET的紧凑模型
作者:
A.J. Scholten
;
R. Duffy
;
R.van Langevelde
;
D.B.M. Klaassen
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
96.
HF characterisation of the vertical advanced heterojunction MOSFET
机译:
垂直高级异质结MOSFET的HF特性
作者:
N. Collaert
;
P. Verheyen
;
K. De Meyer
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
97.
High On Current in Quasi Double Gate Transistors with Undoped Channel Region
机译:
具有未掺杂沟道区的准双栅极晶体管的高导通电流
作者:
E. Landgraf
;
W. Roesner
;
R. J. Luyken
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
98.
2D analysis of gate polydepletion in ultra short MOSFETs
机译:
超短MOSFET中栅极多耗尽的二维分析
作者:
E.Josse
;
T.Skotnicki
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
99.
600V bipolar power devices on thick SOI
机译:
厚SOI上的600V双极功率器件
作者:
L. Clavelier
;
A. Dartigues
;
C. Buj
;
B. Charlet
;
P. Gidon
;
B. Giffard
;
S. Gimonet
;
M. Roy
;
C. Schaeffer
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
100.
A 50nm channel vertical MOSFET concept incorporating a retrograde channel and a dielectric pocket
机译:
具有反向沟道和电介质袋的50nm沟道垂直MOSFET概念
作者:
A.C. Lamb
;
L.S. Riley
;
S. Hall
;
V.D. Kunz
;
C.M. de Groot
;
P.Ashburn
会议名称:
《31th European Solid-State Device Research Conference, Sep 11-13, 2001, Nuremberg, Germany》
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2001年
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