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一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器

摘要

一种基于微机电系统技术的硅电容真空传感器,涉及微机电系统(MEMS)传感器和真空传感器制造领域,包括上极板、下极板、中间绝缘层、真空腔以及上下极板上的电引线焊盘,真空腔是上极板与中间绝缘层间、或者上极板、中间绝缘层与下极板间形成的密封腔,真空腔内设计有绝缘支撑柱阵列,所述绝缘支撑柱的顶端面与上极板间留有空隙。本实用新型能有效测量高真空度、覆盖真空度范围大、制作工艺简单,有效解决现有技术的微型电容薄膜传感器存在的敏感薄膜破裂、粘附失效以及所用玻璃材料放气等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN203811323U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2014-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏森博传感技术有限公司;

    申请/专利号CN201420196540.7

  • 申请日2014-04-22

  • 分类号

  • 代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙);

  • 代理人李妙英

  • 地址 214203 江苏省无锡市宜兴经济开发区文庄路14号

  • 入库时间 2022-08-22 00:15:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L21/00 授权公告日:20140903 终止日期:20180422 申请日:20140422

    专利权的终止

  • 2014-09-03

    授权

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