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AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构

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本实用新型公开了一种AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构，所述制作工序包括在玻璃基板上蒸镀氧化物缓冲层、非晶硅、Ni原子单位，结晶化a-Si及一次蒸镀绝缘膜、二次蒸镀绝缘膜等工序，所述一次蒸镀绝缘膜后，AMOLED低掺杂度漏极TFT制作工序中的结构包括玻璃基板及依次覆盖于玻璃基板上的氧化物缓冲层、非晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层和绝缘膜，所述绝缘膜厚度为

著录项

公开/公告号CN203085559U

专利类型实用新型
公开/公告日2013-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人四川虹视显示技术有限公司;
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申请/专利号CN201320039137.9
发明设计人赵大庸;徐正勋;郭钟云;
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申请日2013-01-24
分类号
代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);
代理人周永宏
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)科新西街168号
入库时间 2022-08-21 23:51:16

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2013-07-24

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